霍爾元件砷化鎵HEX-302C性能優(yōu)于尼賽拉313，市場(chǎng)驗(yàn)證可完美代替旭化成HG-302C

　　深圳市海爾?？萍紝Ｗ⒒魻栐N售10余年，我公司主要代理AKE的霍爾元件。目前，我公司和日本合作商聯(lián)合開(kāi)發(fā)砷化鎵產(chǎn)品HEX-302C、砷化鎵產(chǎn)品HEX-302B，靈敏度精確。

　　砷化鎵HEX-302C可替代HG-302C，性能優(yōu)于尼賽拉313，靈敏度精確;

　　砷化鎵HEX-302B可替代HW-302B，性能優(yōu)于尼賽拉313，靈敏度精確;

　　經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證，國(guó)內(nèi)知名企業(yè)一開(kāi)始批量使用。免費(fèi)打樣測(cè)試

　　產(chǎn)品型號(hào)：HEX-302C (點(diǎn)擊鏈接查看規(guī)格書(shū))

　　品牌：HEX

　　霍爾特性：GaAs砷化鎵高靈敏度型霍爾

　　工作溫度：-40°C～125°C

　　電壓：55mV

　　輸入阻抗：650Ω

　　輸出阻抗：650Ω

　　封裝：4-pin SIP ;DIP-4

　　包裝：500 pcs/袋

　　備注：In stock/ New original packing/ Rohs無(wú)鉛環(huán)保

　　(可完全替代HG302C)

　　HEX-302C廣泛應(yīng)用于開(kāi)環(huán)霍爾效應(yīng)電流傳感器、鉗流表

　　GaAs砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體，其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價(jià)格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱，制成的半導(dǎo)體器件相對(duì)于傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的可靠性和穩(wěn)定性，更適合用于安全性、速度要求更高的領(lǐng)域(諸如安防、精密設(shè)備制造等)。

　　GaAs砷化鎵霍爾典型應(yīng)用

　　砷化鎵霍爾器件是一種磁敏器件，在精密測(cè)磁、自動(dòng)化控制、通訊、計(jì)算機(jī)、航空航天、工業(yè)探傷、民用電器、辦公自動(dòng)化、汽車、醫(yī)療儀器、鉗流表、電流電壓傳感器和國(guó)防工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。